ТЕПЛОЕМКОСТЬ И ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ МАНГАНИТА Sm_0.55Sr_0.45MnO₃ ВБЛИЗИ T_c В ПОЛЯХ ДО 26 кЭ: ФЛУКТУАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ И СЦЕНАРИЙ РАЗВИТИЯ КОЛОССАЛЬНОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Абдулвагидов Ш.Б., Камилов И.К., Алиев А.М., Батдалов А.Б.

Поступила в редакцию: 2 Октября 2002

PACS: 75.30.Vn, 75.40.Cx, 75.30.Kz

DJVU (128.3K)

PDF (433.9K)

С целью количественного исследования флуктуационных эффектов и уточнения сценария развития колоссального магнитосопротивления в окрестности T_c проведены прецизионные измерения теплоемкости и электросопротивления манганита Sm_0.55Sr_0.45MnO₃ в интервале температур 77-300 К и магнитных полей до 26 кЭ. Экспериментально обнаружен и интерпретирован новый тип гистерезиса, обусловленный скачкообразным изменением T_c при фазовом переходе ферромагнетик-парамагнетик. Впервые экспериментально обнаружено влияние флуктуаций параметра порядка на теплоемкость манганита Sm_0.55Sr_0.45MnO₃ и дана количественная оценка флуктуационных эффектов, обоснован флуктуационный механизм колоссального магнитосопротивления вблизи T_c. В сильном магнитном поле при приближении к T_c обнаружен переход от одномерного критического поведения к трехмерному. Показано, что магнитное поле преобразует статическую картину реализации микроскопических ферромагнитных областей в Sm_0.55Sr_0.45MnO₃ вблизи T_c в динамическую. Обнаружена анизотропия колоссального магнитосопротивления Sm_0.55Sr_0.45MnO₃, зависящая от взаимной ориентации внешнего магнитного поля и электрического тока, протекающего по образцу. Показано, что электросопротивление Sm_0.55Sr_0.45MnO₃ хорошо описывается в рамках модели двойного обмена.