ZhETF, Vol. 123,
No. 1,
p. 92 (January 2003)
(English translation - JETP,
Vol. 96, No. 1,
p. 78,
January 2003
available online at www.springer.com
)
ВЛИЯНИЕ ЭНЕРГИИ СВЯЗИ НА КИНЕТИКУ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ И БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ СВЯЗАННЫХ ЭКСИТОНОВ
Старухин А.Н., Разбирин Б.С.
Received: March 28, 2002
PACS: 71.35.-y, 71.35.Ji, 71.55.Ht
Магнитооптическим методом с применением спектроскопии с временным разрешением измерены излучательные и безызлучательные времена жизни связанных экситонов в GaSe с различными энергиями связи. Показано, что как излучательное, так и безызлучательное время жизни экситона, связанного на ионизованном центре, увеличивается с ростом энергии связи экситона с дефектом. Рассмотрены возможные причины указанной зависимости. Полученные в рамках предложенной модели результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.
|
|
Golden Pages
DJVU (79.6K)
PDF (449.5K)