ЖЭТФ, Том 123,
Вып. 1,
стр. 92 (Январь 2003)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 96, No 1,
p. 78,
January 2003
доступен on-line на www.springer.com
)
ВЛИЯНИЕ ЭНЕРГИИ СВЯЗИ НА КИНЕТИКУ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ И БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ СВЯЗАННЫХ ЭКСИТОНОВ
Старухин А.Н., Разбирин Б.С.
Поступила в редакцию: 28 Марта 2002
PACS: 71.35.-y, 71.35.Ji, 71.55.Ht
Магнитооптическим методом с применением спектроскопии с временным разрешением измерены излучательные и безызлучательные времена жизни связанных экситонов в GaSe с различными энергиями связи. Показано, что как излучательное, так и безызлучательное время жизни экситона, связанного на ионизованном центре, увеличивается с ростом энергии связи экситона с дефектом. Рассмотрены возможные причины указанной зависимости. Полученные в рамках предложенной модели результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.
|
|
Золотые страницы
DJVU (79.6K)
PDF (449.5K)