Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 121, No. 2, p. 453 (February 2002)
(English translation - JETP, Vol. 94, No. 2, p. 387, February 2002 available online at www.springer.com )

ВЛИЯНИЕ СИММЕТРИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ВТСП НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SIS-КОНТАКТОВ
Лойко С.О., Федоров Н.К., Арсеев П.И.

Received: July 19, 2001

PACS: 74.50.+r, 74.72.-h

DJVU (124.5K) PDF (438.8K)

В рамках многозонной модели с анизотропным эффективным параметром порядка ВТСП рассчитаны вольт-амперные характеристики SIS-контактов. Результаты вычислений показывают, что вид ВАХ и плотности электронных состояний сильно меняется в зависимости от параметров задачи. Предложено теоретическое объяснение экспериментально наблюдаемого s-подобного поведения ВАХ SIN- и SIS-контактов сверхпроводников типа BSCCO. Исследована зависимость асимметрии сверхпроводящих пиков от взаимного расположения зон. Обсуждено отличие полученных результатов от однозонных моделей с s- и d-симметриями параметра порядка.

 
Report problems