ZhETF, Vol. 121,
No. 2,
p. 453 (February 2002)
(English translation - JETP,
Vol. 94, No. 2,
p. 387,
February 2002
available online at www.springer.com
)
ВЛИЯНИЕ СИММЕТРИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ВТСП НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SIS-КОНТАКТОВ
Лойко С.О., Федоров Н.К., Арсеев П.И.
Received: July 19, 2001
PACS: 74.50.+r, 74.72.-h
В рамках многозонной модели с анизотропным эффективным параметром порядка ВТСП рассчитаны вольт-амперные характеристики SIS-контактов. Результаты вычислений показывают, что вид ВАХ и плотности электронных состояний сильно меняется в зависимости от параметров задачи. Предложено теоретическое объяснение экспериментально наблюдаемого s-подобного поведения ВАХ SIN- и SIS-контактов сверхпроводников типа BSCCO. Исследована зависимость асимметрии сверхпроводящих пиков от взаимного расположения зон. Обсуждено отличие полученных результатов от однозонных моделей с s- и d-симметриями параметра порядка.
|
|
Golden Pages
DJVU (124.5K)
PDF (438.8K)