ВЛИЯНИЕ СИММЕТРИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ВТСП НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SIS-КОНТАКТОВ
Лойко С.О., Федоров Н.К., Арсеев П.И.

Поступила в редакцию: 19 Июля 2001

PACS: 74.50.+r, 74.72.-h

DJVU (124.5K)

PDF (438.8K)

В рамках многозонной модели с анизотропным эффективным параметром порядка ВТСП рассчитаны вольт-амперные характеристики SIS-контактов. Результаты вычислений показывают, что вид ВАХ и плотности электронных состояний сильно меняется в зависимости от параметров задачи. Предложено теоретическое объяснение экспериментально наблюдаемого s-подобного поведения ВАХ SIN- и SIS-контактов сверхпроводников типа BSCCO. Исследована зависимость асимметрии сверхпроводящих пиков от взаимного расположения зон. Обсуждено отличие полученных результатов от однозонных моделей с s- и d-симметриями параметра порядка.