Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 121, No. 1, p. 129 (January 2002)
(English translation - JETP, Vol. 94, No. 1, p. 108, January 2002 available online at www.springer.com )

ДИНАМИКА ПЕРЕГИБОВ НА ДИСЛОКАЦИЯХ В МОНОКРИСТАЛЛАХ SiGe
Иунин Ю.Л., Никитенко В.И., Орлов В.И., Дьяченко-Деков Д.В., Петухов Б.В., Абросимов Н.В., Россоленко С.Н., Шредер В.

Received: June 25, 2001

PACS: 61.72.Bb, 61.72.Lk, 61.72.Ff, 61.72.Tt

DJVU (140.1K) PDF (391.7K)

Методом прерывистого импульсного нагружения получены зависимости среднего пробега индивидуальных дислокаций в монокристаллах сплава SiGe с разным содержанием Ge (0-5.5 ат.%) от длительности импульсов нагрузки и пауз между ними. Обнаружено их качественное изменение при увеличении содержания германия. Показано, что движение дислокаций в кристаллах SiGe при малых сдвиговых напряжениях характеризуется нелинейным дрейфом кинков и образованием суперкинков. Развита теория движения дислокации под действием прерывистого импульсного нагружения в условиях гетерогенной динамики кинков. В кристаллах SiGe, содержащих 0.96 ат.% Ge, обнаружены протяженные квазиодномерные дефекты, повторяющие форму части сегмента движущейся дислокации. Предложен механизм формирования таких дефектов как результат сброса сегментом дислокации части примесной атмосферы при преодолении локального препятствия.

 
Report problems