ДИНАМИКА ПЕРЕГИБОВ НА ДИСЛОКАЦИЯХ В МОНОКРИСТАЛЛАХ SiGe
Иунин Ю.Л., Никитенко В.И., Орлов В.И., Дьяченко-Деков Д.В., Петухов Б.В., Абросимов Н.В., Россоленко С.Н., Шредер В.

Поступила в редакцию: 25 Июня 2001

PACS: 61.72.Bb, 61.72.Lk, 61.72.Ff, 61.72.Tt

DJVU (140.1K)

PDF (391.7K)

Методом прерывистого импульсного нагружения получены зависимости среднего пробега индивидуальных дислокаций в монокристаллах сплава SiGe с разным содержанием Ge (0-5.5 ат.%) от длительности импульсов нагрузки и пауз между ними. Обнаружено их качественное изменение при увеличении содержания германия. Показано, что движение дислокаций в кристаллах SiGe при малых сдвиговых напряжениях характеризуется нелинейным дрейфом кинков и образованием суперкинков. Развита теория движения дислокации под действием прерывистого импульсного нагружения в условиях гетерогенной динамики кинков. В кристаллах SiGe, содержащих 0.96 ат.% Ge, обнаружены протяженные квазиодномерные дефекты, повторяющие форму части сегмента движущейся дислокации. Предложен механизм формирования таких дефектов как результат сброса сегментом дислокации части примесной атмосферы при преодолении локального препятствия.