ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ И ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ, ИНДУЦИРОВАННЫЕ ОДНООСНЫМ СЖАТИЕМ, В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ p-GaAs/Al _xGa _{1-x}As
Кравченко В.Н., Минина Н.Я., Савин А.М.

Received: July 13, 2000

PACS: 73.40.-c

В гетероструктурах (001)p-GaAs/Al_0.5Ga_0.5As обнаружены долговременные релаксации электросопротивления, индуцированные одноосным сжатием, и исследованы основные свойства этих релаксаций: зависимость их характера от направления одноосного сжатия, изменение концентрации носителей тока в процессе релаксаций, гашение релаксаций температурой, освещением, сильным электрическим полем. Установлено, что характер релаксационного процесса различен для направлений сжатия [110] и : в первом случае в ходе релаксации концентрация двумерных дырок в квантовой яме уменьшается, а во втором - увеличивается. Предложена модель, в рамках которой в качестве причины релаксаций пьезосопротивления и их анизотропного характера рассматривается пьезоэлектрическое поле, величина которого, согласно оценкам, составляет |E_z|=1.152• 10⁴ В/см на 1 кбар.