Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 118, No. 6, p. 1443 (December 2000)
(English translation - JETP, Vol. 91, No. 6, p. 1250, December 2000 available online at www.springer.com )

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ И ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ, ИНДУЦИРОВАННЫЕ ОДНООСНЫМ СЖАТИЕМ, В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ p-GaAs/Al xGa {1-x}As
Кравченко В.Н., Минина Н.Я., Савин А.М.

Received: July 13, 2000

PACS: 73.40.-c

В гетероструктурах (001)p-GaAs/Al0.5Ga0.5As обнаружены долговременные релаксации электросопротивления, индуцированные одноосным сжатием, и исследованы основные свойства этих релаксаций: зависимость их характера от направления одноосного сжатия, изменение концентрации носителей тока в процессе релаксаций, гашение релаксаций температурой, освещением, сильным электрическим полем. Установлено, что характер релаксационного процесса различен для направлений сжатия [110] и [1\bar{1}0]: в первом случае в ходе релаксации концентрация двумерных дырок в квантовой яме уменьшается, а во втором - увеличивается. Предложена модель, в рамках которой в качестве причины релаксаций пьезосопротивления и их анизотропного характера рассматривается пьезоэлектрическое поле, величина которого, согласно оценкам, составляет |Ez|=1.152• 104 В/см на 1 кбар.

 
Report problems