Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 118, Вып. 6, стр. 1443 (Декабрь 2000)
(Английский перевод - JETP, Vol. 91, No 6, p. 1250, December 2000 доступен on-line на www.springer.com )

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ И ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ, ИНДУЦИРОВАННЫЕ ОДНООСНЫМ СЖАТИЕМ, В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ p-GaAs/Al xGa {1-x}As
Кравченко В.Н., Минина Н.Я., Савин А.М.

Поступила в редакцию: 13 Июля 2000

PACS: 73.40.-c

В гетероструктурах (001)p-GaAs/Al0.5Ga0.5As обнаружены долговременные релаксации электросопротивления, индуцированные одноосным сжатием, и исследованы основные свойства этих релаксаций: зависимость их характера от направления одноосного сжатия, изменение концентрации носителей тока в процессе релаксаций, гашение релаксаций температурой, освещением, сильным электрическим полем. Установлено, что характер релаксационного процесса различен для направлений сжатия [110] и [1\bar{1}0]: в первом случае в ходе релаксации концентрация двумерных дырок в квантовой яме уменьшается, а во втором - увеличивается. Предложена модель, в рамках которой в качестве причины релаксаций пьезосопротивления и их анизотропного характера рассматривается пьезоэлектрическое поле, величина которого, согласно оценкам, составляет |Ez|=1.152• 104 В/см на 1 кбар.

 
Сообщить о технических проблемах