ОБОБЩЕННАЯ МОДЕЛЬ РЕКОМБИНАЦИИ В НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
Булярский С.В., Грушко Н.С.

Received: May 22, 2000

PACS: 72.20.Jv, 73.50.Gr

Получено обобщенное выражение для скорости рекомбинации в структурах с пространственным разделением электронов и дырок. Одной стадией такого процесса является туннелирование. Из общей модели при определенных допущениях вытекают модель рекомбинации Шокли-Рида и модель туннельной рекомбинации. Показано, что в туннельно-связанных областях может наблюдаться явление индуцированной рекомбинации. Получено выражение вольт-амперной характеристики поверхностно-барьерного диода, в котором имеет место туннельная рекомбинация. Теоретические результаты сопоставляются с экспериментом, выполненным с использованием поверхностно-барьерных структур, сформированных на арсениде галлия и тонких пленках As₂Se₃.