Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 118, Вып. 5, стр. 1222 (Ноябрь 2000)
(Английский перевод - JETP, Vol. 91, No 5, p. 945, November 2000 доступен on-line на www.springer.com )

ОБОБЩЕННАЯ МОДЕЛЬ РЕКОМБИНАЦИИ В НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
Булярский С.В., Грушко Н.С.

Поступила в редакцию: 22 Мая 2000

PACS: 72.20.Jv, 73.50.Gr

Получено обобщенное выражение для скорости рекомбинации в структурах с пространственным разделением электронов и дырок. Одной стадией такого процесса является туннелирование. Из общей модели при определенных допущениях вытекают модель рекомбинации Шокли-Рида и модель туннельной рекомбинации. Показано, что в туннельно-связанных областях может наблюдаться явление индуцированной рекомбинации. Получено выражение вольт-амперной характеристики поверхностно-барьерного диода, в котором имеет место туннельная рекомбинация. Теоретические результаты сопоставляются с экспериментом, выполненным с использованием поверхностно-барьерных структур, сформированных на арсениде галлия и тонких пленках As2Se3.

 
Сообщить о технических проблемах