ЖЭТФ, Том 118,
Вып. 5,
стр. 1222 (Ноябрь 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 91, No 5,
p. 945,
November 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
ОБОБЩЕННАЯ МОДЕЛЬ РЕКОМБИНАЦИИ В НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
Булярский С.В., Грушко Н.С.
Поступила в редакцию: 22 Мая 2000
PACS: 72.20.Jv, 73.50.Gr
Получено обобщенное выражение для скорости рекомбинации в структурах с пространственным разделением электронов и дырок. Одной стадией такого процесса является туннелирование. Из общей модели при определенных допущениях вытекают модель рекомбинации Шокли-Рида и модель туннельной рекомбинации. Показано, что в туннельно-связанных областях может наблюдаться явление индуцированной рекомбинации. Получено выражение вольт-амперной характеристики поверхностно-барьерного диода, в котором имеет место туннельная рекомбинация. Теоретические результаты сопоставляются с экспериментом, выполненным с использованием поверхностно-барьерных структур, сформированных на арсениде галлия и тонких пленках As2Se3.
|
|