Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 118, No. 4, p. 911 (October 2000)
(English translation - JETP, Vol. 91, No. 4, p. 791, October 2000 available online at www.springer.com )

ВЛИЯНИЕ НАДБАРЬЕРНЫХ И КРАЕВЫХ СОСТОЯНИЙ НА СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ НЕГЛУБОКИХ СВЕРХРЕШЕТОК GaAs/AlGaAs КОНЕЧНОЙ ДЛИНЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
Григорьев В.Н., Дорофеев О.В., Литвиненко К.Л., Лысенко В.Г., Онищенко С.И., Лео К., Росам Б., Кехлер Л.

Received: April 21, 2000

PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd

DJVU (658.7K) PDF (1783.1K)

Исследованы спектры поглощения сверхрешетки GaAs(82 )/Al0.07Ga0.93As(37 ) при температуре 10 K в интервале электрических полей от 0 до 60 кВ/см. Из сопоставления экспериментальных спектров поглощения с расчетами энергий и сил осцилляторов переходов между состояниями ванье-штарковской лестницы установлено, что в больших электрических полях надбарьерные состояния образуют не бесструктурный континуум, а веер состояний. Пересечение локализованных электрическим полем электронных состояний с веером надбарьерных состояний приводит к уширению, расщеплению и немонотонным изменениям интенсивности полосы внутриямных переходов. Обнаруженная дополнительная полоса поглощения объясняется внутриямными переходами между состояниями в крайних левой и правой квантовых ямах сверхрешетки.

 
Report problems