ЖЭТФ, Том 118,
Вып. 4,
стр. 911 (Октябрь 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 91, No 4,
p. 791,
October 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
ВЛИЯНИЕ НАДБАРЬЕРНЫХ И КРАЕВЫХ СОСТОЯНИЙ НА СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ НЕГЛУБОКИХ СВЕРХРЕШЕТОК GaAs/AlGaAs КОНЕЧНОЙ ДЛИНЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
Григорьев В.Н., Дорофеев О.В., Литвиненко К.Л., Лысенко В.Г., Онищенко С.И., Лео К., Росам Б., Кехлер Л.
Поступила в редакцию: 21 Апреля 2000
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Исследованы спектры поглощения сверхрешетки GaAs(82 )/Al0.07Ga0.93As(37 ) при температуре 10 K в интервале электрических полей от 0 до 60 кВ/см. Из сопоставления экспериментальных спектров поглощения с расчетами энергий и сил осцилляторов переходов между состояниями ванье-штарковской лестницы установлено, что в больших электрических полях надбарьерные состояния образуют не бесструктурный континуум, а веер состояний. Пересечение локализованных электрическим полем электронных состояний с веером надбарьерных состояний приводит к уширению, расщеплению и немонотонным изменениям интенсивности полосы внутриямных переходов. Обнаруженная дополнительная полоса поглощения объясняется внутриямными переходами между состояниями в крайних левой и правой квантовых ямах сверхрешетки.
|
|
Золотые страницы
DJVU (658.7K)
PDF (1783.1K)