Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики

Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики

НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ

Общая информация о журнале

Золотые страницы

Адреса редакции

Содержание журнала

Сообщения редакции

Правила для авторов

Загрузить статью

Проверить статус статьи

Поиск публикаций автора "E.M. Gershenzon"
Найдено 22

1. New Magnetoconcentration Effect in Germanium

V.F. Bannaya, E.M. Gershenzon, Yu. A. Gurvich, L.B. Litvak-Gorskaya
JETP, 1969 г., Том 29, Вып. 5, стр. 800

2. Submillimeter spectroscopy of semiconductors

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, N.G. Ptitsina
JETP, 1973 г., Том 37, Вып. 2, стр. 299

3. Investigation of free excitons in Ge and their condensation at submillimeter wavelengths

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, N.G. Ptitsina
JETP, 1976 г., Том 43, Вып. 1, стр. 116

4. Investigation of H^--like centers in semiconductors in submillimeter wavelength range

V.N. Aleksandrov, E.M. Gershenzon, A.P. Mel'nikov, N.A. Serebryakova
JETP, 1976 г., Том 43, Вып. 2, стр. 305

5. Cyclotron resonance of electrons in Ge in a quantizing magnetic field in the case of inelastic scattering by acoustic phonons

E.M. Gershenzon, Yu. A. Gurvich, S.L. Orlova, N.G. Ptitsina
JETP, 1975 г., Том 40, Вып. 2, стр. 311

6. Singularities of energy states of localized electrons in strongly compensated n-lnSb

V.V. Arendarchuk, E.M. Gershenzon, L.B. Litvak-Gorskaya, R.I. Rabinovich
JETP, 1974 г., Том 38, Вып. 6, стр. 1192

7. Energy spectrum of the donors in GaAs and Ge and its reaction to a magnetic field

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, A.I. Elant'ev
JETP, 1977 г., Том 45, Вып. 3, стр. 555

8. Energy spectrum of acceptors in germanium and its response to a magnetic field

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, M.L. Kagane
JETP, 1977 г., Том 45, Вып. 4, стр. 769

9. Capture of photoexcited carrien by shallow impurity centen in germanium

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, V.V. Multanovskii, N.G. Ptitsyna
JETP, 1979 г., Том 50, Вып. 4, стр. 728

10. Character of submillimeter photoconductivity in n-lnSb

E.M. Gershenzon, V.A. II'in, L.B. Litvak-Gorskaya, S.R. Filonovich
JETP, 1979 г., Том 49, Вып. 1, стр. 121

11. Population and lifetime of excited states of shallow impurities in Ge

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, N.G. Ptitsina
JETP, 1979 г., Том 49, Вып. 2, стр. 355

12. Direct-capture threshold effects in silicon superconductivity

E.M. Gershenzon, Yu. A. Gurvich, A.P. Mel'nikov, L.N. Shostakov
JETP, 1991 г., Том 73, Вып. 5, стр. 856

13. Hopping photoconductivity of doped silicon and germanium

E.M. Gershenzon, F.M. Ismagilova, L.B. Litvak-Gorskaya, A.P. Mel'nikov
JETP, 1991 г., Том 73, Вып. 3, стр. 568

14. Influence of the interference of electron-phonon and electron-impurity scattering on the conductivity of unordered Nb films

N.G. Ptitsina, G.M. Chulkova, E.M. Gershenzon, M.E. Gershenzon
JETP, 1995 г., Том 80, Вып. 5, стр. 960

15. Electron-phonon interaction in ultrathin Nb films

E.M. Gershenzon, M.E. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, A.M. Lyul'kin, A.D. Semenov, A.V. Sergeev
JETP, 1990 г., Том 70, Вып. 3, стр. 505

16. Free carrier recombination in doped silicon at low compensations

L.A. Vorozhtsova, E.M. Gershenzon, Yu. A. Gurvich, F.M. Ismagilova, A.P. Mel'nikov
JETP, 1988 г., Том 67, Вып. 2, стр. 416

17. Impurity photoconductivity of weakly compensated silicon under conditions of delocalization of D^- (A⁺) states

L.A. Vorozhtsova, E.M. Gershenzon, Yu. A. Gurvich, F.M. Ismagilova, L.B. Litvak-Gorskaya, A.P. Mel'nikov
JETP, 1987 г., Том 66, Вып. 4, стр. 808

18. Effect of electron-electron collisions on the trapping of free carriers by shallow impurity centers in germanium

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, N.G. Ptitsina, E.R. Riger
JETP, 1986 г., Том 64, Вып. 4, стр. 889

19. Cooling of nonequilibrium electrons and negative magnetoresistance in strong electric and magnetic fields

E.M. Gershenzon, L.B. Litvak-Gorskaya, R.I. Rabinovich, E.Z. Shapiro
JETP, 1986 г., Том 63, Вып. 1, стр. 142

20. Heating of electrons in a superconductor in the resistive state by electromagnetic radiation

E.M. Gershenzon, M.E. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, A.D. Semenov, A.V. Sergeev
JETP, 1984 г., Том 59, Вып. 2, стр. 442

21. H^--like centers and delocallzatlon of electrons in semiconductors

V.F. Bannaya, E.M. Gershenzon, A.P. Mel'nikov, R.I. Rabinovich, I.E. Trofimov
JETP, 1983 г., Том 58, Вып. 2, стр. 434

22. Kinetics of electron and hole binding Into excitons in germanium

E.M. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, V.V. Multanovskii, N.G. Ptitsina
JETP, 1983 г., Том 57, Вып. 2, стр. 369

Название
Автор
с по
Искать в русском архиве
Искать в английском архиве

Сообщить о технических проблемах