ЖЭТФ, Том 69,
Вып. 3,
стр. 990 (Октябрь 1975)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 42,
No. 3,
p. 503,
October 1975
)
Статья доступна on-line только в английском переводе.
Concerning the mechanism of formation of the diode effect in silicon under the influence of an individual dislocation
V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, A.B. Yakimov
Поступила в редакцию: 24 Марта 1975
|
|
Золотые страницы
PDF (258.8K)