Атомистический анализ рекомбинационной десорбции водорода с поверхности вольфрама
Дегтяренко Н.Н., Гришаков К.С., Писарев А.А., Гаспарян Ю.М.

Поступила в редакцию: 6 Сентября 2023

DOI: 10.31857/S0044451024040023

PDF (5.2M)

В рамках метода теории функционала плотности проводится анализ процессов рекомбинационной десорбции атомов водорода, расположенных на поверхности и в приповерхностных слоях вольфрама W(100). Предложен механизм роста кластеров адсорбированных атомов водорода на поверхности вольфрама. Проведен расчет энергий активации процессов десорбции для различных конфигураций адсорбированных атомов водорода. Показана зависимость энергии активации рекомбинационной десорбции от локального окружения. Наименьшая энергия активации рекомбинационной десорбции - 1.0эВ достигается для пары атомов H, один из которых принадлежит скоплению адсорбированных на поверхности атомов водорода, а другой выходит из подповерхностных слоев W(100).