Свойства растянутых образцов TaS₃ в состоянии волны зарядовой плотности и в нормальном состоянии
Зыбцев С.Г., Покровский В.Я., Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Старешинич Д., Штурм С., Чернышева Е.

Поступила в редакцию: 3 Ноября 2016

DOI: 10.7868/S0044451017040174

PDF (5.5M)

Одноосное растяжение нитевидных образцов квазиодномерного проводника ромбического TaS₃ на величину, превышающую %, приводит к резкому росту когерентности свойств волны зарядовой плотности, что проявляется в ее движении в полях больших порогового, E_t. Показано, что при одноосном удлинении TaS₃ проявляет необычные свойства и в слабых полях: наблюдается немонотонная зависимость температуры пайерлсовского перехода T_P от , уменьшение одномерных флуктуаций вблизи T_P, а также увеличение длин когерентности волны зарядовой плотности при TP. Исследования в полях больших E_t показали, что ультракогерентные свойства волн зарядовой плотности наблюдаются в широком диапазоне температур и сохраняются при повышении температуры вплоть до T_P. Эти свойства ВЗП позволили наблюдать резкий рост E_t вблизи T_P, а также практически скачкообразный рост E_t при T<90 К. Рост E_t при приближении к T_P объясняется уменьшением объема когерентности волны зарядовой плотности из-за флуктуационного подавления пайерлсовской щели.