JETP, Vol. 77,
No 3,
p. 465 (September 1993)
(Русский оригинал - ЖЭТФ,
Том 104,
Вып. 3,
стр. 3126,
Сентябрь 1993
)
Anomalies in the structural and electrical properties of the amorphous semiconductor a-GaSb:Ge
V.V. Brazhkin, A.G. Lyapin, S.V. Popova, S.V. Demishev, Yu. V. Kosichkin, D.G. Lunts, N.E. Sluchanko, S.V. Frolov
Поступила в редакцию: 10 Марта 1993
|
|
Золотые страницы
PDF (526.1K)