Магнитофононные осцилляции сопротивления в структурах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток -
Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Сафончик М.О., Шахов М.А., Бакаров А.К., Быков А.А.

Поступила в редакцию: 6 Ноября 2024

DOI: 10.31857/S0044451025020087

PDF (2233.4K)

Исследованы магнитофононные осцилляции сопротивления (MPR), связанные с резонансным рассеянием электронов на оптических фононах при температурах 77-240 K, а также и резонансным рассеянием электронов на акустических фононах (PIRO) при температурах 10-25 K на одних и тех же образцах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток AlAs/GaAs, легированных Si. При исследованиях MPR было показано, что резонансное рассеяние электронов происходит на объемных продольных оптических фононах и не зависит от размерности системы, а также и от межподзонных переходов в системах с двумя подзонами пространственного квантования. Однако величина амплитуды осцилляции с номером N=1 в двумерных структурах зависит от соотношения механизмов рассеяния, т.е. от их строения. Что касается PIRO, то в образцах с двумя подзонами пространственного квантования резонансное рассеяние электронов на продольных акустических фононах наблюдается на фоне межподзонных переходов (MISO), что вызывает их интерференцию.