Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 167, No. 2, p. 226 (February 2025)
(English translation - JETP, Vol. 140, No. 2, February 2025 available online at www.springer.com )

Магнитофононные осцилляции сопротивления в структурах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток \text {AlAs/GaAs}\langle \delta -\text {Si}\rangle
ДРичко И.Л., СмиРнов И.Ю., Сафончик М.О., Шахов М.А., БакаРов А.К., Быков А.А.

Received: November 6, 2024

DOI: 10.31857/S0044451025020087

PDF (2233.4K)

Исследованы магнитофононные осцилляции сопротивления (MPR), связанные с резонансным рассеянием электронов на оптических фононах при температурах 77-240 K, а также и резонансным рассеянием электронов на акустических фононах (PIRO) при температурах 10-25 K на одних и тех же образцах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток AlAs/GaAs, легированных Si. При исследованиях MPR было показано, что резонансное рассеяние электронов происходит на объемных продольных оптических фононах и не зависит от размерности системы, а также и от межподзонных переходов в системах с двумя подзонами пространственного квантования. Однако величина амплитуды осцилляции с номером N=1 в двумерных структурах зависит от соотношения механизмов рассеяния, т.е. от их строения. Что касается PIRO, то в образцах с двумя подзонами пространственного квантования резонансное рассеяние электронов на продольных акустических фононах наблюдается на фоне межподзонных переходов (MISO), что вызывает их интерференцию.

 
Report problems