ЖЭТФ, Том 166,
Вып. 5,
стр. 703 (Ноябрь 2024)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 139, No 5,
November 2024
доступен on-line на www.springer.com
)
Изменение свойств  при циклической переполяризации сегнетоэлектрических конденсаторов с разными материалами электродов
Залялов Т.М., Исламов Д.Р.
Поступила в редакцию: 25 Апреля 2024
DOI: 10.31857/S0044451024110130
Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл-сегнетоэлектрик-металл на основе оксида гафния-циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.
|
|
Золотые страницы
PDF (728K)