Изменение свойств при циклической переполяризации сегнетоэлектрических конденсаторов с разными материалами электродов
Залялов Т.М., Исламов Д.Р.

Received: April 25, 2024

DOI: 10.31857/S0044451024110130

PDF (728K)

Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл-сегнетоэлектрик-металл на основе оксида гафния-циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.