Влияние сильного магнитного поля на транспортные свойства МДП-структуры Fe/SiO₂/n-Si на переменном токе
Смоляков Д.А., Рауцкий М.В., Бондарев И.А., Яковлев И.А., Овчинников С.Г., Волков Н.В., Тарасов А.С.

Поступила в редакцию: 28 Апреля 2022

DOI: 10.31857/S0044451022090176

PDF (1606.3K)

Были проведены исследования транспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO₂/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной ориентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии E_S примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поля и может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.