ВСТРОЕННЫЕ ПОЛЯ В НАНОРАЗМЕРНОЙ ОРГАНИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК: ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ РОЛЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЗОНДОВ
Лазарев В.В., Блинов Л.М., Юдин С.Г., Палто С.П.

Поступила в редакцию: 6 Июня 2014

DOI: 10.7868/S0044451014100204

DJVU (132.4K)

PDF (321K)

Рассматриваются внешние и внутренние (встроенные) макроскопические поля в наноразмерной гетероструктуре, состоящей из слоев органического сегнетоэлектрика и органического полупроводника, помещенных между двумя электродами (прозрачного из окиси индия и олова и полупрозрачного из алюминия). Для измерений поля используются оптические зонды как в полупроводнике (фталоцианин меди, CuPc), благодаря особенностям его спектра поглощения, так и в сегнетоэлектрике с помощью внедренного в него молекулярного зонда (тетрафенил-порфирина палладия) со своим характерным спектром. Локальные поля измеряются методом электропоглощения с последующим их пересчетом в макроскопические поля. Установлено, что амплитудой и направлением макроскопического встроенного поля в полупроводнике можно управлять, изменяя величину поляризации гетероструктуры импульсами внешнего напряжения, приложенного к гетероструктуре. Этот эффект может оказаться полезным для повышения эффективности органических преобразователей световой энергии в электрическую.