Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 146, No. 4, p. 854 (October 2014)
(English translation - JETP, Vol. 119, No. 4, p. 753, October 2014 available online at www.springer.com )

ВСТРОЕННЫЕ ПОЛЯ В НАНОРАЗМЕРНОЙ ОРГАНИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК: ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ РОЛЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЗОНДОВ
Лазарев В.В., Блинов Л.М., Юдин С.Г., Палто С.П.

Received: June 6, 2014

DOI: 10.7868/S0044451014100204

DJVU (132.4K) PDF (321K)

Рассматриваются внешние и внутренние (встроенные) макроскопические поля в наноразмерной гетероструктуре, состоящей из слоев органического сегнетоэлектрика и органического полупроводника, помещенных между двумя электродами (прозрачного из окиси индия и олова и полупрозрачного из алюминия). Для измерений поля используются оптические зонды как в полупроводнике (фталоцианин меди, CuPc), благодаря особенностям его спектра поглощения, так и в сегнетоэлектрике с помощью внедренного в него молекулярного зонда (тетрафенил-порфирина палладия) со своим характерным спектром. Локальные поля измеряются методом электропоглощения с последующим их пересчетом в макроскопические поля. Установлено, что амплитудой и направлением макроскопического встроенного поля в полупроводнике можно управлять, изменяя величину поляризации гетероструктуры импульсами внешнего напряжения, приложенного к гетероструктуре. Этот эффект может оказаться полезным для повышения эффективности органических преобразователей световой энергии в электрическую.

 
Report problems