ЭЛЕКТРОННЫЕ ПОДВИЖНОСТИ В ИЗОМОРФНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ In_0.53 Ga_0.47 As НА InP
Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.

Поступила в редакцию: 31 Августа 2012

DOI: 10.7868/S0044451013050066

DJVU (76.7K)

PDF (566K)

Исследовано влияние уровня легирования, освещения и ширины изоморфных квантовых ям In_0.52 Al_0.48 As/ In_0.53 Ga_0.47 As/In_0.52 Al_0.48 As, выращенных на подложках InP, на подвижность электронов. Обнаружена замороженная фотопроводимость при низких температурах. Рассчитаны зонные диаграммы и найдены оптимальные параметры для получения максимальной электронной подвижности. Из данных по эффекту Шубникова - де Гааза получены квантовые и транспортные величины подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизованных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизованных примесях в исследуемых образцах является при низких температурах доминирующим.