ПИКОСЕКУНДНЫЕ «РАЗГОРАНИЕ» И РЕЛАКСАЦИЯ ИНТЕНСИВНОГО СТИМУЛИРОВАННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ GaAs
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н.

Поступила в редакцию: 24 Сентября 2012

DOI: 10.7868/S0044451013040034

DJVU (111.3K)

PDF (324.4K)

В подтверждение представления, созданного ранее на основании косвенных признаков, обнаружено, что в GaAs возникало стимулированное излучение, а его интенсивность возрастало с пикосекундной задержкой относительно фронта мощной пикосекундной оптической накачки, создававшей плотную электронно-дырочную плазму. При спаде накачки интенсивность излучения релаксирует с характерным временем порядка 10 пс. Получены зависимости времени задержки, времени релаксации, длительности пикосекундного импульса излучения от энергии его фотона. Оценки, основанные на том, что релаксация излучения определяется остыванием электронно-дырочной плазмы, соответствуют измеренному времени релаксации.