ЖЭТФ, Том 142,
Вып. 1,
стр. 181 (Июль 2012)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 115, No 1,
p. 164,
July 2012
доступен on-line на www.springer.com
)
ОБОБЩЕНИЕ МОДЕЛИ МНОГОКРАТНОГО ЗАХВАТА
Шкилев В.П.
Поступила в редакцию: 17 Января 2012
Рассматривается прыжковый перенос заряда в неупорядоченных полупроводниках. С использованием концепции транспортного энергетического уровня выводятся макроскопические уравнения, являющиеся обобщением модели многократного захвата на тот случай, когда в полупроводнике присутствуют как энергетическая, так и пространственная неупорядоченности. Показано, что хотя оба вида неупорядоченности могут быть причиной дисперсионного переноса, частотная зависимость проводимости обусловливается исключительно пространственной неупорядоченностью.
|
|
Золотые страницы
DJVU (97.5K)
PDF (220.1K)