ZhETF, Vol. 142,
No. 1,
p. 181 (July 2012)
(English translation - JETP,
Vol. 115, No. 1,
p. 164,
July 2012
available online at www.springer.com
)
ОБОБЩЕНИЕ МОДЕЛИ МНОГОКРАТНОГО ЗАХВАТА
Шкилев В.П.
Received: January 17, 2012
Рассматривается прыжковый перенос заряда в неупорядоченных полупроводниках. С использованием концепции транспортного энергетического уровня выводятся макроскопические уравнения, являющиеся обобщением модели многократного захвата на тот случай, когда в полупроводнике присутствуют как энергетическая, так и пространственная неупорядоченности. Показано, что хотя оба вида неупорядоченности могут быть причиной дисперсионного переноса, частотная зависимость проводимости обусловливается исключительно пространственной неупорядоченностью.
|
|
Golden Pages
DJVU (97.5K)
PDF (220.1K)