ЖЭТФ, Том 134,
Вып. 2,
стр. 211 (Август 2008)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 107, No 2,
p. 171,
August 2008
доступен on-line на www.springer.com
)
ИНДУЦИРОВАННОЕ СТОЛКНОВЕНИЯМИ УСИЛЕНИЕ КОРОТКОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПЕРЕХОДАХ В ОСНОВНОЕ СОСТОЯНИЕ АТОМОВ
Пархоменко А.И., Усольцев А.Н., Шалагин А.М.
Поступила в редакцию: 31 Января 2008
PACS: 42.50.Hz, 32.70.-n
Теоретически исследован новый вариант получения коротковолновой лазерной генерации на переходе между высоковозбужденным и основным состояниями активных атомов, находящихся в атмосфере буферного газа. Механизм получения инверсии населенностей на этом переходе обусловлен установлением за счет частых столкновений локального больцмановского распределения населенностей в группе высоковозбужденных уровней. Если возбуждение высоколежащего уровня осуществляется двумя источниками лазерного излучения с частотами ω1 и ω2, то можно получить коротковолновую генерацию на частоте, близкой к суммарной ω1+ω2. Проведен анализ условия возникновения инверсии населенностей и получены простые аналитические формулы. Показано, что индуцированное столкновениями усиление коротковолнового излучения может возникать при интенсивностях накачки порядка 100 Вт/см2. При интенсивностях накачки порядка 1000 Вт/см2 коэффициент усиления коротковолнового излучения может достигать значения 3 см-1 (при концентрации активных атомов см-3), что при длине активной среды порядка 10 см достаточно для развития генерации за один проход через активную среду (режим сверхсветимости).
|
|