Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 134, No. 2, p. 211 (August 2008)
(English translation - JETP, Vol. 107, No. 2, p. 171, August 2008 available online at www.springer.com )

ИНДУЦИРОВАННОЕ СТОЛКНОВЕНИЯМИ УСИЛЕНИЕ КОРОТКОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПЕРЕХОДАХ В ОСНОВНОЕ СОСТОЯНИЕ АТОМОВ
Пархоменко А.И., Усольцев А.Н., Шалагин А.М.

Received: January 31, 2008

PACS: 42.50.Hz, 32.70.-n

DJVU (116.8K) PDF (316.2K)

Теоретически исследован новый вариант получения коротковолновой лазерной генерации на переходе между высоковозбужденным и основным состояниями активных атомов, находящихся в атмосфере буферного газа. Механизм получения инверсии населенностей на этом переходе обусловлен установлением за счет частых столкновений локального больцмановского распределения населенностей в группе высоковозбужденных уровней. Если возбуждение высоколежащего уровня осуществляется двумя источниками лазерного излучения с частотами ω1 и ω2, то можно получить коротковолновую генерацию на частоте, близкой к суммарной ω12. Проведен анализ условия возникновения инверсии населенностей и получены простые аналитические формулы. Показано, что индуцированное столкновениями усиление коротковолнового излучения может возникать при интенсивностях накачки порядка 100 Вт/см2. При интенсивностях накачки порядка 1000 Вт/см2 коэффициент усиления коротковолнового излучения может достигать значения 3 см-1 (при концентрации активных атомов N\sim 10^{15} см-3), что при длине активной среды порядка 10 см достаточно для развития генерации за один проход через активную среду (режим сверхсветимости).

 
Report problems