ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ГЕНЕРАЦИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНИДА ЦИНКА И СУЛЬФИДА КАДМИЯ ПОД ДЕЙСТВИЕМ СУБНАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Месяц Г.А., Насибов А.С., Шпак В.Г., Шунайлов С.А., Яландин М.И.

Поступила в редакцию: 17 Апреля 2007

PACS: 42.50.-p, 78.45.+h

DJVU (182.1K)

PDF (364.1K)

Исследовано воздействие субнаносекундных импульсов высокого напряжения на полупроводниковые соединения A^IIB^VI. Импульс отрицательной полярности длительностью до 500 пс подавался на электроды специальной формы. Амплитуда импульса напряжения могла меняться от 20 до 250 кВ. Между электродами помещались плоскопараллельные пластины толщиной 1-2 мм, изготовленные из объемных монокристаллов селенида цинка или сульфида кадмия. Эксперименты проводились в воздухе без погружения монокристаллических пластин в жидкую диэлектрическую среду. При подаче импульса напряжения от острых кромок отрицательного электрода по направлению силовых линий электрического поля распространялись расходящиеся разряды. При увеличении напряжения в объеме полупроводника возникала генерация лазерного излучения со всеми характерными признаками - резкое увеличение мощности, сужение спектра и появление направленности излучения. В случае селенида цинка при комнатной температуре получены следующие характеристики: длина волны излучения 480 нм, расходимость излучения примерно 3, максимальная импульсная мощность 600 Вт.