Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 133, No. 6, p. 1162 (June 2008)
(English translation - JETP, Vol. 106, No. 6, p. 1013, June 2008 available online at www.springer.com )

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ГЕНЕРАЦИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНИДА ЦИНКА И СУЛЬФИДА КАДМИЯ ПОД ДЕЙСТВИЕМ СУБНАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Месяц Г.А., Насибов А.С., Шпак В.Г., Шунайлов С.А., Яландин М.И.

Received: April 17, 2007

PACS: 42.50.-p, 78.45.+h

DJVU (182.1K) PDF (364.1K)

Исследовано воздействие субнаносекундных импульсов высокого напряжения на полупроводниковые соединения AIIBVI. Импульс отрицательной полярности длительностью до 500 пс подавался на электроды специальной формы. Амплитуда импульса напряжения могла меняться от 20 до 250 кВ. Между электродами помещались плоскопараллельные пластины толщиной 1-2 мм, изготовленные из объемных монокристаллов селенида цинка или сульфида кадмия. Эксперименты проводились в воздухе без погружения монокристаллических пластин в жидкую диэлектрическую среду. При подаче импульса напряжения от острых кромок отрицательного электрода по направлению силовых линий электрического поля распространялись расходящиеся разряды. При увеличении напряжения в объеме полупроводника возникала генерация лазерного излучения со всеми характерными признаками - резкое увеличение мощности, сужение спектра и появление направленности излучения. В случае селенида цинка при комнатной температуре получены следующие характеристики: длина волны излучения 480 нм, расходимость излучения примерно 3, максимальная импульсная мощность 600 Вт.

 
Report problems