ГЕНЕРАЦИЯ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРАХ БЛИЖНЕЙ ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ НА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
Кукушкин В.А.

Поступила в редакцию: 21 Февраля 2007

PACS: 42.55.Px, 42.60.Pk, 73.21.Fg

DJVU (125.2K)

PDF (364.2K)

Предложен метод генерации среднего инфракрасного (ИК) излучения ( мкм) в работающих в ближней ИК-области ( мкм) полупроводниковых гетеролазерах с квантовыми ямами. Он основан на создании инверсии населенностей на межподзонном лазерном переходе среднего ИК-диапазона благодаря опустошению его нижнего уровня сильным ближним ИК-полем. В отличие от предыдущих исследований данной проблемы, учитывается неоднородное уширение этого перехода, возникающее вследствие зависимости его частоты от энергии носителей, и предлагается инвертировать его не во всей спектральной области, а только в диапазоне, резонансном со средним ИК-полем. Это позволяет значительно понизить (по сравнению с полученными ранее оценками) пороговую плотность тока накачки для начала средней ИК-генерации и в результате надеяться на реализацию предлагаемого лазера при комнатной температуре в непрерывном режиме.