Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 133, No. 3, p. 522 (March 2008)
(English translation - JETP, Vol. 106, No. 3, p. 450, March 2008 available online at www.springer.com )

ГЕНЕРАЦИЯ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРАХ БЛИЖНЕЙ ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ НА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
Кукушкин В.А.

Received: February 21, 2007

PACS: 42.55.Px, 42.60.Pk, 73.21.Fg

DJVU (125.2K) PDF (364.2K)

Предложен метод генерации среднего инфракрасного (ИК) излучения (\lambda\sim 10 мкм) в работающих в ближней ИК-области (\lambda\sim 1 мкм) полупроводниковых гетеролазерах с квантовыми ямами. Он основан на создании инверсии населенностей на межподзонном лазерном переходе среднего ИК-диапазона благодаря опустошению его нижнего уровня сильным ближним ИК-полем. В отличие от предыдущих исследований данной проблемы, учитывается неоднородное уширение этого перехода, возникающее вследствие зависимости его частоты от энергии носителей, и предлагается инвертировать его не во всей спектральной области, а только в диапазоне, резонансном со средним ИК-полем. Это позволяет значительно понизить (по сравнению с полученными ранее оценками) пороговую плотность тока накачки для начала средней ИК-генерации и в результате надеяться на реализацию предлагаемого лазера при комнатной температуре в непрерывном режиме.

 
Report problems