МЕХАНИЗМЫ ОЖЕ-РЕКОМБИНАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ
Зегря Г.Г., Самосват Д.М.

Поступила в редакцию: 20 Апреля 2006

PACS: 79.20.Fv

DJVU (199.3K)

PDF (437.7K)

В работе выполнен микроскопический расчет вероятности оже-рекомбинации носителей заряда, локализованных в полупроводниковой квантовой точке. Показано, что в квантовой точке присутствует два механизма оже-рекомбинации: беспороговый и квазипороговый. Беспороговый механизм оже-рекомбинации связан с рассеянием квазиимпульса на гетеробарьере, а квазипороговый - с пространственным ограничением волновых функций носителей заряда областью квантовой точки; при этом рассеяние носителей происходит на короткодействующем кулоновском потенциале. Оба механизма приводят к существенному усилению процесса оже-рекомбинации в квантовой точке по сравнению с однородным полупроводником. Выполнен детальный анализ зависимости коэффициента оже-рекомбинации от температуры и параметров квантовой точки. При низких температурах доминирует беспороговый процесс оже-рекомбинации, а при высоких - квазипороговый. Показано, что зависимость коэффициента оже-рекомбинации от радиуса квантовой точки претерпевает существенные изменения по сравнению с квантовыми ямами и квантовыми нитями.