ЖЭТФ, Том 122,
Вып. 3,
стр. 582 (Сентябрь 2002)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 95, No 3,
p. 502,
September 2002
доступен on-line на www.springer.com
)
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
Мишина Е.Д., Воротилов К.А., Васильев В.А., Сигов А.С., Ота Н., Накабаяши С.
Поступила в редакцию: 24 Апреля 2002
PACS: 73.20.Dx, 73.23.-b
Предложена методика изготовления сегнетоэлектрических наноструктур на основе пористого кремния. Показано, что метод химического осаждения из растворов обеспечивает проникновение исходных компонентов раствора в поры матрицы, а последующий отжиг приводит к кристаллизации сегнетоэлектрической фазы. Диагностика сегнетоэлектрических свойств проведена методом генерации второй оптической гармоники. Исследованы спектральные характеристики полученных сегнетоэлектрических наноструктур.
|
|
Золотые страницы
DJVU (46.1K)
PDF (214.1K)