ZhETF, Vol. 122,
No. 3,
p. 582 (September 2002)
(English translation - JETP,
Vol. 95, No. 3,
p. 502,
September 2002
available online at www.springer.com
)
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
Мишина Е.Д., Воротилов К.А., Васильев В.А., Сигов А.С., Ота Н., Накабаяши С.
Received: April 24, 2002
PACS: 73.20.Dx, 73.23.-b
Предложена методика изготовления сегнетоэлектрических наноструктур на основе пористого кремния. Показано, что метод химического осаждения из растворов обеспечивает проникновение исходных компонентов раствора в поры матрицы, а последующий отжиг приводит к кристаллизации сегнетоэлектрической фазы. Диагностика сегнетоэлектрических свойств проведена методом генерации второй оптической гармоники. Исследованы спектральные характеристики полученных сегнетоэлектрических наноструктур.
|
|
Golden Pages
DJVU (46.1K)
PDF (214.1K)