Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 166, No. 6, p. 795 (December 2024)
(English translation - JETP, Vol. 139, No. 6, December 2024 available online at www.springer.com )

Квазидвумерный органический проводник κ -( BEDT-TTF)2 Cu[ N( CN)2] Cl. Конформационный беспорядок и зарядовая структура проводящих слоев
Кузьмин А.В., Хасанова Э.И., Мелетов К.П., Зверев В.Н., Хасанов С.С.

Received: April 6, 2024

DOI: 10.31857/S0044451024120046

PDF (8.8M)

Методами рентгеноструктурного анализа (РСА), спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и квантово-химического моделирования были исследованы особенности температурного поведения термоактивированного конформационного беспорядка концевых этиленовых групп - C2 H4- молекул BEDT-TTF (или ET) в кристаллах квазидвумерного органического проводника κ -( BEDT-TTF)2 Cu[ N( CN)2] Cl при температурах от 112K до 289K. При медленном охлаждении со скоростью -4 K/ ч и шагом в 10K были измерены параметры кристаллической решетки и для характерных точек проведен полный структурный анализ. Параметры кристаллической структуры проявляют аномальное поведение по температуре в интервале 175-250K, в этой же области наблюдается аномалия в поведении частот внутримолекулярных колебаний молекулы ET, что связывается с изменением степени конформационного беспорядка. На основе полученных структурных данных методами квантово-химического моделирования было проанализировано влияние наблюдаемого беспорядка на электронную структуру проводящего слоя. В частности, результаты расчетов полуэмпирическим расширенным методом Хюккеля с оптимизированным под заданную систему базисом позволили установить характер распределения электронной плотности как внутри димера, так и внутри слоя в зависимости от конфигурации концевых этиленовых групп. Были выявлены основные типы перераспределения заряда между молекулами в димере ET2. Показано, как заселенность конфигураций и степень поляризации димеров влияют на устойчивость того или иного типа зарядового упорядочения внутри проводящего слоя и, в конечном счете, на проводящие свойства кристалла.

 
Report problems