Сверхбыстрый транспорт экситонов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах
Глазов М.М., Сурис Р.А.

Received: March 23, 2024

DOI: 10.31857/S0044451024070034

PDF (875K)

Экситоны в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе атомарно-тонких дихалькогенидов переходных металлов рассматриваются в качестве потенциальных кандидатов для формирования сверхтекучего состояния в двумерных системах. В ряде работ сообщалось о наблюдении сверхбыстрого недиффузионного распространения экситонов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах, которое рассматривалось их авторами как возможное свидетельство коллективных эффектов в экситонных системах. В данной статье после краткого анализа режимов экситонного распространения в двумерных полупроводниках предлагается альтернативная модель сверхбыстрого транспорта экситонов, основанная на формировании волноводных мод в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах и распространении излучения по этим модам.