Journal of Experimental and Theoretical Physics

HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP

Journal Issues

Manuscript Submission

Guidelines for Authors

Manuscript Status

Contacts

ZhETF, Vol. 165, No. 5, p. 647 (May 2024)
(English translation - JETP, Vol. 138, No. 5, May 2024 available online at www.springer.com )

Диффузия атомов водорода из диэлектрических подложек $\mathrm {Si}_3\mathrm {N}_4$ в аморфные и поликристаллические пленки $\mathrm {Si}$ и $\mathrm {Ge}$
Арапкина Л.В., Чиж К.В., Ставровский Д.Б., Дубков В.П., Сторожевых М.С., Юрьев В.А.

Received: July 28, 2023

DOI: 10.31857/S0044451024050043

PDF (1352.8K)

Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки $\mathrm {Si}$ и $\mathrm {Ge}$ , выращенные на диэлектрических подложках $\mathrm {Si}_3\mathrm {N}_4/\mathrm {SiO}_2/\mathrm {Si}(001)$ . В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности $\mathrm {N}$ - $\mathrm {H}$ -полос поглощения в слоях $\mathrm {Si}_3\mathrm {N}_4$ , связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки $\mathrm {Si}$ и $\mathrm {Ge}$ . Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки $30^\circ$ С и усиливается с увеличением температуры роста (30 .2222em - $500^\circ$ С) и толщины пленок $\mathrm {Si}$ и $\mathrm {Ge}$ (50 .2222em -200нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя $\mathrm {Si}_3\mathrm {N}_4$ в растущую пленку $\mathrm {Si}$ или $\mathrm {Ge}$ контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев $\mathrm {Si}$ и $\mathrm {Ge}$ и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.

Report problems