Влияние шума на резистивное переключение мемристора на основе стабилизированного диоксида циркония
Горшков О.Н., Филатов Д.О., КоРяжкина М.Н., Лобанова В.А., Рябова М.А.

Received: June 8, 2023

DOI: 10.31857/S0044451023110123

PDF (1299K)

Исследовано влияние гауссова шума на переключение мемристора на основе ZrO₂(Y) из низкорезистивного состояния (НРС) в высокорезистивное состояние (ВРС), включая переход из НРС в промежуточные метастабильные состояния. В качестве переключающих сигналов использовалась последовательность положительных (с добавлением или без добавления шумового сигнала) и отрицательных прямоугольных импульсов напряжения. Добавление шума к переключающему сигналу инициирует переключение мемристора из НРС в ВРС при меньших амплитудах импульсов, чем в случае переключения прямоугольными импульсами без наложения шума. Добавлением шума с определенными параметрами к прямоугольным переключающим импульсам может быть достигнуто необходимое (заданное) ВРС, минуя промежуточные состояния. При этом резистивное переключение реализуется без применения адаптивных протоколов переключения. Результаты настоящего исследования могут быть применены при разработке инновационных протоколов переключения мемристоров.