Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 163, No. 2, p. 214 (February 2023)
(English translation - JETP, Vol. 136, No. 2, p. 185, February 2023 available online at www.springer.com )

Взаимодействие комплексов одноионных магнитов [\mathrm {Er(HL)(L)}]\cdot \mathrm {4CHCl}_3\cdot \mathrm {H}_2\mathrm {O} с ферромагнитными микрочастицами
Коплак О.В., Дворецкая Е.В., Куницына Е.И., Моргунов Р.Б.

Received: September 10, 2022

DOI: 10.31857/S0044451023020086

PDF (22.1M)

Представлен новый метод управления спиновой релаксацией в одномолекулярных магнитах (SMM) с целью устранения спиновой декогеренции до уровня, приемлемого для квантовых вычислений c частотой релаксации порядка 102Гц при температуре 2K. Значительная часть SMM имеет быструю магнитную релаксацию, протекающую по нескольким параллельным каналам, чувствительным к наличию внешнего магнитного поля. Подавление части каналов релаксации в таких материалах (их также называют одноионные магниты, SIM) обычно достигается с помощью электромагнита в макроскопических объемах комплексов. Это неприемлемо для использования отдельных комплексов SIM в качестве кубитов и заставляет искать пути реализации локального магнитного поля и других типов взаимодействий комплексов в специально подобранной среде, обеспечивающей зеемановское взаимодействие в отсутствие внешнего поля. В статье показано, что композит из комплексов SIM с ионами Er3+ и ферромагнитных микрочастиц проявляет остаточную намагниченность в объеме, достаточную для уменьшения частоты спиновой релаксации. По величине этот эффект конкурирует с известным эффектом гибридизации орбиталей комплекса при взаимодействии с поверхностью металла. Поэтому микроструктурирование массива комплексов в ферромагнитной матрице может быть использовано для создания локальных областей с регулируемой частотой магнитной релаксации.

 
Report problems