![](/img/nop.png)
ZhETF, Vol. 162,
No. 6,
p. 892 (December 2022)
(English translation - JETP,
Vol. 135, No. 6,
p. 853,
December 2022
available online at www.springer.com
)
Молекулярно-пучковая эпитаксия тонких пленок h- GaTe/m- GaTe на подложках GaAs (001): структурные и фотолюминесцентные свойства
Сорокин С.В., Седова И.В., Авдиенко П.С., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Галимов А.И., Яговкина М.А., Рахлин М.В.
Received: September 1, 2022
DOI: 10.31857/S0044451022120094
Тонкие пленки GaTe выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на подложках GaAs (001). Методом рентгеновской дифрактометрии подтверждено сосуществование фаз h- и m-GaTe во всех выращенных слоях. Установлена количественная корреляция между условиями МПЭ и фазовым составом формируемых пленок. Экспериментально определен верхний предел температуры МПЭ при выращивании слоев GaTe/GaAs (001). Приведены новые данные, подтверждающие дефектную природу широкой полосы излучения с максимумом -1.46 эВ, доминирующей в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции слоев GaTe/GaAs (001).
|
|