Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 161, No. 5, p. 746 (May 2022)
(English translation - JETP, Vol. 134, No. 5, May 2022 available online at www.springer.com )

Частота спин-трансферного наноосциллятора на основе перпендикулярной туннельной наногетероструктуры с ненулевой эллиптичностью
Шубин Ю.Н., Машаев М.Х., Ведяев А.В., Стрелков Н.В.

Received: January 12, 2022

DOI: 10.31857/S0044451022050121

PDF (388.6K)

Свободный слой в наногетероструктуре с магнитным туннельным переходом (МТП) обычно имеет форму тонкого диска диаметром в несколько десятков нанометров и толщиной в несколько нанометров. При определенных значениях тока, протекающего через такую МТП-структуру, намагниченность свободного слоя испытывает стационарную прецессию, вызванную компенсацией диссипации энергии прецессии спин-трансферным эффектом. Важным свойством такого осциллятора является линейная зависимость частоты колебаний от приложенного напряжения. Если форма МТП-структуры приобретает эллиптичность при изготовлении, то колебания намагниченности становятся отличными от синусоидальных, и зависимость частоты от напряжения становится более сложной. В данной статье приводится приближенная формула для расчета частоты однодоменного наноосциллятора в МТП-структуре с ненулевой эллиптичностью, которая была получена с помощью ассимптотического метода решения уравнения Ландау-Лифшица с дополнительными феноменологическими транспортными слагаемыми. Также проводится сравнение полученной формулы с результатами численных расчетов, которое показывает хорошее согласование при малых отклонениях формы МТП-структуры от симметричного диска.

 
Report problems