Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 161, No. 2, p. 266 (February 2022)
(English translation - JETP, Vol. 134, No. 2, p. 222, February 2022 available online at www.springer.com )

Активационный прыжковый транспорт в нематических проводящих аэрогелях
Цебро В.И., Николаев Е.Г., Луганский Л.Б., Кутузов М.С., Хмельницкий Р.А., Тонких А.А., Харьковский А.И.

Received: September 27, 2021

DOI: 10.31857/S0044451022020122

PDF (3697.3K)

Исследованы транспортные свойства нематических аэрогелей, состоящих из нановолокон Al2O3• SiO2 с высокой степенью ориентации, покрытых графеновой оболочкой с большим количеством дефектов. Температурные зависимости электросопротивления в диапазоне 9-40 K строго следуют формуле для прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в которой показатель степени α меняется от 0.4 до 0.9 при уменьшении числа слоев в графеновой оболочке от 4-6 до 1-2. Зависимость α от толщины оболочки можно объяснить одновременным изменением размерности прыжкового транспорта и характера зависимости плотности локализованных состояний от энергии вблизи уровня Ферми. Приближение α к единице при минимальной толщине графеновой оболочки свидетельствует о постепенном переходе от транспорта с переменной длиной прыжка к прыжковому транспорту на ближайшие соседние места. Измеренное при T=4.2 K магнитосопротивление является отрицательным, существенно возрастает с уменьшением толщины графеновой оболочки и с хорошей точностью аппроксимируется формулой для случая слабой локализации. При этом значения длины фазовой когерентности находятся в разумном соотношении с размером графеновых зерен. Исследованные проводящие аэрогели дополняют уже известный набор материалов, в которых при низких температурах наблюдается прыжковый электронный транспорт, что свойственно средам с сильной локализацией носителей заряда, и одновременно отрицательное магнитосопротивление, обычно проявляющееся в условиях слабой локализации.

 
Report problems