Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 161, No. 2, p. 227 (February 2022)
(English translation - JETP, Vol. 134, No. 2, p. 188, February 2022 available online at www.springer.com )

Исследование процесса интеркаляции кобальта под буферный слой углерода на монокристалле SiC (0001)
Фильнов С.О., Рыбкина А.А., Тарасов А.В., Ерыженков А.В., Елисеев И.А., Давыдов В.Ю., Шикин А.М., Рыбкин А.Г.

Received: October 6, 2021

DOI: 10.31857/S0044451022020080

PDF (2870.1K)

Исследованы процессы синтеза буферного слоя углерода на монокристалле SiC (0001) и его последующей интеркаляции атомами кобальта. C помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии было показано, что процесс интеркаляции сопровождается образованием поверхностного сплава силицидов кобальта под квазисвободным графеном. Данные, измеренные методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением, демонстрируют наличие конуса Дирака вблизи уровня Ферми, что подтверждает образование квазисвободного графена в результате интеркаляции. Морфология и однородность полученной системы были изучены с помощью атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. В рамках теории функционала плотности были исследованы особенности зонной структуры графена на возможных сплавах силицидов кобальта. Расчеты химического сдвига 2p-уровня Si для силицидов кобальта подтверждают наличие компонент CoSi и CoSi2 в данных рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. При этом показано, что формирование квазисвободного графена с линейной дисперсией π -состояний возможно только на поверхности CoSi. Учитывая важность исследования графена на изолирующих подложках, а также уникальные свойства графена при контакте с магнитными металлами, мы надеемся, что данное исследование внесет вклад в дальнейшую реализацию графена в устройствах спинтроники и наноэлектроники.

 
Report problems