Модификация электронной структуры квазисвободного графена при адсорбции и интеркаляции атомов Mn
Гогина А.А., Рыбкин А.Г., Шикин А.М., Тарасов А.В., Петачча Л., Ди Санто Г., Елисеев И.А., Лебедев С.П., Давыдов В.Ю., Климовских И.И.

Received: October 20, 2020

DOI: 10.31857/S0044451021060043

PDF (4.8M)

С использованием методов фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально исследовано влияние интеркаляции атомов марганца на электронную структуру графена, сформированного на подложках Au/Co(0001)/W(110) и SiC(0001). Для обеих систем методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии получены дисперсионные зависимости π -состояний графена в -точке зоны Бриллюэна, на которых наблюдаются сдвиги конуса Дирака при интеркаляции атомов марганца и последующих прогревах систем. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучена структура приповерхностных слоев сформированных систем. Анализ линий остовных уровней указывает на возможность формирования тонкого слоя сплава Mn₂Au на границе графен-Mn-Au и квазидвумерного слоя Mn под графеном на подложке SiC. Подробное исследование графена на SiC методом спектроскопии комбинационного рассеяния света показало, что при интеркаляции такой системы атомами Mn буферный слой остается связанным с подложкой и не происходит его превращения в дополнительный слой графена. После интеркаляции наблюдается увеличение количества дефектов в кристаллической решетке графена.