ZhETF, Vol. 157,
No. 3,
p. 532 (March 2020)
(English translation - JETP,
Vol. 130, No. 3,
p. 446,
March 2020
available online at www.springer.com
)
Нелинейная электрическая модель переходного фотоэлектрического тока в органическом фотодиоде
Яблонский С.В., Боднарчук В.В., Юдин С.Г.
Received: August 15, 2019
DOI: 10.31857/S0044451020030141
С помощью нелинейной резисторно-емкостной модели объясняется одна из возможных причин деградации органических фотодиодов. В качестве нелинейных элементов в эквивалентной схеме используются электронные ключи для коммутации параметров фотодиода при включении и выключении света. Модель рассматривает фотодиод как пространственно-локализованный генератор фотонапряжения, нагруженный на пассивный четырехполюсник, соединенный с электродами через пассивные интерфейсные слои. Именно наличие пассивных слоев, имеющих участки с разнонаправленными встроенными тянущими полями является основной причиной деградации характеристик фотодиода. Предложенная эквивалентная схема хорошо воспроизводит экспериментальные переходные и стационарные процессы в органических фотодиодах и может быть полезна как для измерения электрических параметров фотодиодов, так и для изучения процессов, приводящих к их деградации.
|
|