Электронная структура и электронные свойства монокристалла PtSn₄
Марченков В.В., Доможирова А.Н., Махнев А.А., Шредер Е.И., Лукоянов А.В., Наумов С.В., Чистяков В.В., Марченкова Е.Б., Huang C.A., Eisterer M.

Received: January 15, 2019

DOI: 10.1134/S0044451019060154

PDF (1629.7K)

Выращен монокристалл топологического полуметалла PtSn₄ и исследованы его электросопротивление в диапазоне температур от 4.2 К до 300 К, гальваномагнитные свойства при температурах от 4.2 К до 80 К и в магнитных полях до 100 кЭ, оптические свойства при комнатной температуре, а также выполнены теоретические расчеты электронной структуры. Показано, что остаточное сопротивление достаточно мало и составляет ρ ₀=0.47 мкОм• см, что характерно для «хорошего» металла, а зависимость ρ (T) имеет металлический характер, монотонно возрастая с температурой. Анализ температурных зависимостей магнитосопротивления позволяет судить о том, что поверхность Ферми соединения PtSn₄ может содержать замкнутые листы. Исследования эффекта Холла и сделанные оценки в рамках однозонной модели позволили заключить, что преобладающим типом носителей тока являются дырки с концентрацией n=6.8• 10²¹ см^-3 и подвижностью см²/В• с при T=4.2 K. Показано, что оптические свойства PtSn₄ имеют особенности, характерные для «плохих» металлов. Расчет электронной структуры соединения PtSn₄ показал, что, в целом, это соединение имеет структуру, характерную для металлических систем с достаточно большим числом электронных состояний на уровне Ферми, что согласуется с экспериментальными результатами по электронным транспортным и оптическим свойствам монокристалла PtSn₄.